Der hier vorliegende Leistungsthyristor wurde vom estnischen Halbleiterhersteller TET (Tallinna Elektrotehnika Tehas) gefertigt. TET Estel produziert heute noch Leistungshalbleiter und Leistungselektronik-Baugruppen.
In den Kabelschuh sind die Zahlen 07 76 eingeprägt, wahrscheinlich handelt es sich um einen Datecode.
Die Öse hat einen Durchmesser von 13mm.
Das Gehäuse ist handbeschriftet. Die Bezeichnung des Thyristors lautet TB2-160-10-U3. Die Zahlen 1.52-365 stehen höchstwahrscheinlich für zusätzliche Kennwerte.
Der allgemeine Aufbau der Typbezeichnung findet sich in den Applikativen Informationen des VEB Applikationszentrum Elektronik Berlin (2/1984). Bei Thyristoren beginnt die Bezeichnung mit dem Buchstaben T. Das B steht für einen schnellen Thyristor. Es folg die Zahl 2, die die Modellreihe kennzeichnen. 160 steht für eine Stromtragfähigkeit von 160A. Die Spannungsklasse 10 garantiert eine Sperrspannung von 1000V. Die restlichen Zahlen gehören höchstwahrscheinlich zu den dynamischen Parametern, dazu gehören die kritische Spannungssteilheit, die kritische Spannungssteilheit nach der Kommutierung, die Freiwerdezeit, die Zündzeit und die Sperrverzugszeit.
Das Gehäuse des Thyristors ist sehr massiv gebaut. Die Grundplatte hat einen Durchmesser von 65mm und ist 7mm hoch. Die Wandstärke des Zylinders beträgt 3mm.
Der obere Teil des Gehäuses ist schwarz lackiert. Den oberen Abschluss bildet ein grünes, glasartiges Material.
Die Grundplatte besteht aus massivem Kupfer.
Der eigentliche Thyristor besitzt einen Durchmesser von 3cm und ist durch einen roten Verguss geschützt. An der Kontaktierung der Gatelektrode kam ein weißer Verguss zum Einsatz.
Die Zuleitung ist in eine kurze Aderendhülse eingequetscht und mit dem Thyristor verlötet.
Die Thyristorscheibe befindet sich auf einer Trägerscheibe, die mit der Grundplatte verlötet ist.
Der Verguss lässt sich bis auf kleinere Rückstände gut entfernen. Der Kontaktbereich der Kathode ist überraschend hoch.
Man kann davon ausgehen, dass der Thyristor ähnlich aufgebaut ist, wie im Rahmen des BTY92 beschrieben. Um den Umfang des Kathodenkontakts erkennt man teilweise eine dunkle Fläche, die die oberste, n-dotierte Schicht sein könnte.
Den Kathodenkontakt umschließt ein Ring, auf dem sich etwas Lot befindet. Diese Lot-Schicht könnte der niederohmigen Verteilung des Gatepotentials dienen. Es fällt allerdings auf, dass der Ring nicht direkt mit dem Gatekontakt verbunden ist, sondern sogar nach hinten ausweicht.
Die Thyristorscheibe scheint zum Rand hin zweimal bearbeitet worden zu sein. Der auf den Kathodenkontakt folgende, violette Gate-Bereich stellt anscheinend die ursprüngliche Oberfläche dar. Darauf folgt ein Ring mit einer Struktur, die bei Ätzprozessen entsteht und an der äußeren Kante ein Ring mit einer etwas feineren Struktur. Vermutlich konnte man so eine gestufte Abflachung der Siliziumscheibe realisieren, was sauberere Sperrschicht-Grenzflächen ermöglicht. Weniger Störstellen führen dann zu geringeren Leckströmen und damit zu höheren Spannungsfestigkeiten.
