Der BTY92 ist ein Leistungsthyristor von Valvo. Das massive Gehäuse wird in einen Kühlkörper geschraubt und bietet einen niedrigen Wärmewiderstand von 0,5K/W. Die Seite mit dem Gewinde trägt das Anodenpotential. Das Kathodenpotential auf der Oberseite des Thyristors ist mit einer dicken, blanken Litze verbunden, die zu einer Ringöse führt. Das Gate-Potential wird isoliert aus der Oberseite des Bauteils herausgeführt.
Das Datenblatt zeigt den typischen pnpn-Aufbau eines Thyristors. Ein Steuersignal am Anschluss St lässt die Struktur leitend werden bis der Laststrom unter den minimal notwendigen Haltestrom fällt.
Im Datenblatt sind verschiedene Varianten des Thyristors aufgelistet. Der BTY92 bietet mit 100V die geringste Spannungsfestigkeit. Der BTY95 kann bis zu 400V sperren. Als Nennstrom werden 33A aufgeführt. Dieser Wert gilt bei Verwendung eines Kühlkörpers mit einem Wärmewiderstand von 1,1K/W. Maximal möglich sind 50A, begrenzt von der Sperrschichttemperatur, die 125°C nicht überschreiten darf.
Die Anodenleitung scheint in einer Art Aderendhülse zu enden, die wiederum in eine Hülse auf der Kathodenseite des Gehäuses eingequetscht wurde. Nach unten zum eigentlichen Thyristor führt eine weitere dicke Litze. Die Steuerleitung besitzt einen isolierenden Keramikzylinder als Durchführung.
Das Gehäuse des Thyristors besteht aus einem Keramikzylinder, der mit einem Metallring auf der massiven Grundplatte befestigt ist.
Die Litze, die das Kathodenpotential zuführt, endet in einer massiven Hülse. Die Hülse ist auf einer Scheibe aufgelötet, die noch nicht den eigentlichen Thyristor, sondern nur eine flächige Kontaktierung darstellt. Eine weiße Vergussmasse schützt die Halbleiterscheibe.
Die Vergussmasse lässt sich relativ einfach entfernen. Der Gate-Bonddraht kontaktierte direkt die Oberfläche der Halbleiterscheibe.
Das SCR Manual von General Electric zeigt wie ein solcher Leistungsthyristor üblicherweise aufgebaut ist. Die Grundlage bildet eine Siliziumscheibe mit einer pnp-Dotierung. Der Gatekontakt ist direkt mit der Oberfläche dieser Scheibe verbunden. Die Kathode entsteht durch das Auflegieren eines Materials, das eine n-Dotierung erzeugt.
Seitlich betrachtet ist der Aufbau gut zu erkennen. Die Halbleiterscheibe hat einen Durchmesser von 14,7mm. Die Höhe beträgt 0,2mm. Auf der Anodenseite des Thyristors befindet sich eine ähnliche Metallscheibe wie auf der Kathodenseite.
Im Vergleich zu einer integrierten Schaltung oder einem halbwegs modernen Transistor besitzt die Thyristorscheibe eine verhältnismäßig raue Oberfläche. Im Vergleich zu anderen Thyristoren, wie zum Beispiel dem TB2-160-10 ist die Oberfläche allerdings sehr glatt.
Zum Rand hin scheint die Dicke etwas abzunehmen. Solche Maßnahmen sollen oftmals für saubere Außenkanten der Sperrschichten sorgen, was Leckströme reduziert und damit die Spannungsfestigkeit erhöht.
Über ein Viertel des Umfangs zieht sich ein Riss. Ob es sich um einen Produktionsfehler oder um einen Überlastschaden handelt, bleibt unklar.
