Die Beschriftung dieses Transistors ist kaum mehr zu erkennen. Es handelt sich um den von Siemens produzierten AD133, einen auf Germanium basierenden PNP-Leistungstransistor. Die maximale Sperrspannung beträgt 32V, der maximale Strom liegt bei 15A. Unter den Zeichen AD133 scheint sich ein V zu befinden. Die Transistoren wurden nach Verstärkungsfaktorbereich sortiert. Das V kennzeichnet den höchsten Verstärkungsfaktorbereich 50-100. Die Grenzfrequenz wird mit 0,3MHz angegeben.
Während beim AD148 noch ein TO66-Gehäuse ausreichend war, benötigt der leistungsfähigere AD133 bereits das größere TO3-Gehäuse.
Der AD133 besitzt Anschlusspins mit Lötösen, was die Kontaktierung mit Leitungen erleichtert. Das Gehäuse, dass das Kollektorpotential trägt, besitzt einen eigenen Pin.
In der Grundplatte ist ein eingepresstes Element zu erkennen.
Im Inneren des Transistors befindet sich ein weißes Pulver, das Feuchtigkeit bindet und somit den Transistor vor Korrosion schützt. Anders als beim AD148 wurde hier der Transistorbereich zusätzlich mit einer schwarzen Schicht überzogen, die höchstwahrscheinlich einen weiteren Schutz vor Umgebungseinflüssen darstellt.
Die schwarze Masse löst sich beim Waschen mit Isopropanol auf.
Wie beim 2N3055 und beim AD148 hat Siemens auch beim AD133 zur Kontaktierung ein Blechteil eingesetzt, das nach der Integration in das Package zwischen den Anschlusspins durchtrennt wurde. Hier sind auf der Grundplatte sogar noch dabei entstandene Ablagerungen zu erkennen. Da elektrostatische Entladungen für einen Germanium-Leistungstransistor keine Gefahr darstellen, kann man davon ausgehen, dass das Vorgehen die Fertigung vereinfachen sollte.
Der Transistor befindet sich auf einer Erhebung. Vermutlich ist es dieses Element, dass auf der Rückseite der Grundplatte zu erkennen ist. Entweder handelt es sich um einen Heatspreader oder das zusätzliche Element diente dazu die Fertigung des Transistors zu erleichtern. Die Grundplatte wurde beschichtet.
Der Aufbau des eigentlichen Transistors ähnelt stark dem AD148. Der Durchmesser der Halbleiterscheibe ist mit 4,4mm nur minimal größer (AD148: 4,1mm).
