Dieser von Siemens produzierte 2N3055 trägt die Zeichenfolge 3F. Höchstwahrscheinlich stehen die Zeichen für eine Fertigung im März 1975.
Bei dem runden Element auf der Unterseite handelt es sich um einen eingepressten Zylinder, der den eigentlichen Transistor trägt.
Im Inneren dieses Packages befindet sich ein weißes Pulver. Höchstwahrscheinlich handelt es sich um ein Trocknungsmittel.
Nach einer Reinigung zeigt sich ein relativ großes Die. Die Kontaktierung des Halbleiters erfolgt sehr massiv über zwei Blechstreifen. Während der Fertigung waren die beiden Kontakte zeitweise verbunden und wurden dann thermisch getrennt. Die anfängliche Verbindung vereinfacht die Fertigungsabläufe.
Die Blechstreifen wurden auf das Die aufgelötet. Der ganze Aufbau ist mit einer durchsichtigen Schutzschicht überzogen. An den Rändern des Dies löst sich diese Beschichtung bereits ab.
Ein Teil der Metalllage zeigt Verfärbungen in der Nähe der Kontaktierung. Entweder kam es an dieser Stelle zu Korrosion oder es handelt sich um Überreste des Lötvorgangs.
Das Die ist sehr dünn, was den Übergangswiderstand reduziert und die Entwärmung verbessert.
Will man die Basis-Emitter-Strecke dieses 2N3055 in den Durchbruch treiben, so muss man eine sehr hohe Spannung anlegen. Erst bei -70V kommt es zum Durchbruch. Eine derart hohe Durchbruchspannung ist typisch für einen hometaxial gefertigten Transistor (siehe RCA 2N3055H). Dabei stellt ein passend dotiertes Substrat die Basisschicht dar, die dann beidseitig, gleichzeitig invers dotiert wird, wodurch sich Kollektor und Emitter ausbilden. Der Emitter lässt sich bei diesem Fertigungsverfahren nicht so stark dotieren, wie es bei modernen Transistoren der Fall ist. Das erklärt die hohe Spannungsfestigkeit der Basis-Emitter-Strecke.
Die Leuchterscheinung ist sehr ungleichmäßig und tritt hauptsächlich im oberen Bereich des Halbleiters auf.
