Bei diesem BUX22 lässt die Beschriftung vermuten, dass es sich um eine Fälschung handeln könnte. Der Druck scheint sich bereits teilweise aufzulösen.
Tatsächlich kann man den Aufdruck problemlos mit Isopropanol abwischen, was meist ein Zeichen für eine Fälschung ist.
Das Die im Inneren des Gehäuses ist ungefähr so groß wie bei den anderen beiden BUX22, allerdings wurde hier nur ein Die integriert.
Zwar befindet sich ein Heatspreader unter dem Die, dieser ist allerdings sehr viel dünner und kleiner als die Heatspreader in den Originalteilen. Auch die Bonddrähte sind dünner, obwohl jeder einzelne den kompletten Strom tragen muss.
Wie beim 3DD15D von JH Semiconductor wurde das Die mit einer weißen, silikonartigen Masse überzogen.
Der Heatspreader besitzt auffällig ausgefranste Kanten, was nicht für eine hohe Fertigungsqualität spricht.
Wie beim 3DD15D wurde auch hier eine halbdurchsichtige, gelbliche Masse verwendet, um das Die auf dem Heatspreader und den Heatspreader auf der Grundplatte zu befestigen. Vermutlich handelt es sich um eine Art Wärmeleitkleber. Der Wärmeleitkleber vereinfacht die Montage im Vergleich zu einer Lötverbindung, die Wärmeleitfähigkeit ist allerdings schlechter.
Auf der silikonartigen Schicht befinden sich einige Metallspäne, die beim Öffnen des Gehäuses entstanden sind. Es ist allerdings auch eine größere Metallkugel zu erkennen, die an Lötzinn erinnert. Die Kugel befindet sich in der weißen Masse, muss also während der Herstellung auf das Die gelangt sein.
Die Durchbruchspannung der Basis-Emitter-Strecke beträgt bei diesem Modell -13V.
Die silikonartige Masse lässt sich relativ gut entfernen. Es zeigt sich, dass die kleine Metallkugel lose auf dem Die auflag.
Die Strukturen des Transistors erinnern an den älteren BUX22.
Vom inneren Aufbau sind nur minimale Kanten zu erkennen. Wie beim 3DD15D, beim gefälschten BUX66 und beim ENI-1B scheinen auch hier mehr Stufen zu existieren, als man mit einer einfachen pn-Struktur erklären kann.
In den Rand des Transistors wurde mit eine interessante MESA-Struktur eingearbeitet. Üblich ist ein Plateau mit gleichmäßig abfallenden Kanten, wie es auch beim KD501 zu sehen ist. Hier wurde dagegen ein Graben in den Rahmen geätzt.
Der Vergleich des alten BUX22 mit dem
neuen BUX22 und der Fälschung zeigt noch einmal
recht eindeutig die Unterschiede.
Trotz der Weiterentwicklung im Bereich der
Halbleiter ist es unwahrscheinlich, dass der gefälschte Transistor die für den
BUX22 spezifizierte Stromtragfähigkeit besitzt. Die Bonddrähte erscheinen dafür
ebenfalls zu dünn. Die mögliche Verlustleistung von 350W, die das Datenblatt
angibt, sind bei der Fälschung kaum denkbar.
