Richi´s Lab

Inchange 3DD15D

3DD15D

Der 3DD15D ist ein Leistungstransistor, der von Inchange Semiconductor gefertigt wird. Inchange Semiconductor ist eine chinesische Firma, die 1991 gegründet wurde. Unter den ersten Produkten waren die TO3-Transistoren der 3DD-Reihe. Es folgten unter anderem Spannungsregler aus der 78xx-Serie, einige Hochspannungstransistoren, der berühmte 2N3055 und mehrere Hochfrequenztransistoren. Später folgten MOSFETs, Leistungsthyristoren und -gleichrichter.

Die maximale Sperrspannung des 3DD15D beträgt 200V, der maximale Strom liegt bei 5A. Eine Grenzfrequenz weist das Datenblatt nicht aus, nur eine Abfallzeit von 1µs. Diese Zeit gilft für einen Kollektorstrom von 3A und einen Wechsel des Basisstroms von 0,2A auf -0,3A.

 

3DD15D Grundplatte

Die Grundplatte des Gehäuses ist sehr viel dünner ausgeführt als bei den meisten anderen TO3-Gehäusen. Dazu passend gibt das Datenblatt eine maximale Verlustleistung von nur 50W und einen Wärmewiderstand von 2°C/W an.

 

3DD15D Die

Das Die besitzt keinen Heatspreader und ist wie das Die im gefälschte ST 2N3055 nur auf die Grundplatte aufgeklebt. Das Die ist mit einer weißlichen Schutzschicht überzogen.

 

3DD15D Die

Die Bonddrähte beschreiben einen überraschend hohen Bogen. Die Kontaktierung auf dem Die erscheint relativ plump.

 

3DD15D Die

Auf der Vergussmasse haften Metallteile, die beim Öffnen des Gehäuses entstanden sind.

 

3DD15D Die

Die Vergussmasse lässt sich einigermaßen gut entfernen.

Auf den Metallflächen von Basis und Emitter sind Bondbereiche vorgehalten. Der Bonddraht der den Emitter kontaktiert wurde sehr grenzwertig platziert.

 

3DD15D Die Detail

Im Detail betrachtet zeigt sich, dass die Metalllage nicht besonders genau platziert wurde.

 

3DD15D Die Detail

3DD15D Die Detail

Der Aufbau des Transistors erscheint untypisch vielteilig. Der Emitter stellt sich bräunlich dar und hier blau markiert. Innerhalb der Emitter-Metallisierung sind die Umrisse der Aussparungen zu erkennen, über die die Metalllage die Emitterfläche kontaktiert.
Die Basis-Metalllage zeigt ebenfalls die Umrisse einer Durchkontaktierung, die eine grünliche, hier rot markierte, Fläche anbindet.
Zwischen der Emitter- und der Basisfläche befinden sich eine weitere bräunliche und eine weitere grünliche Fläche, die sich nicht erklären lassen. Treibt man die Basis-Emitter-Strecke in den Durchbruch, so zeigt sich, dass die Umrandung der Emitterfläche die Basis-Emitter-Grenze darstellt. Fraglich bleibt dennoch welchen Zweck die anderen beiden Bereiche erfüllen.

 

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