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Cypress Semiconductor FM24V10

FM24V10

Der Cypress Semiconductor FM24V10 ist ein FRAM, ein Ferroelectric Random Access Memory. Ein solcher Speicher ist ähnlich aufgebaut wie ein DRAM, besitzt aber ein sehr speziellen Speicherelement. Statt die Daten als elektrische Ladungen in klassischen Kondensatoren zu speichern, befindet sich bei einem FRAM eine ferroelektrische Schicht zwischen den Elektroden des Kondensators. Legt man ein elektrisches Feld an, so entsteht in der ferroelektrischen Schicht eine Polarisation, die wie ein Kondensator ausgelesen werden kann, aber keine Auffrischung benötigt. So kann ein FRAM Daten über Jahrzehnte speichern. Dabei arbeitet er ähnlich schnell wie ein SRAM und kann um Größenordnungen öfter beschrieben werden als ein EEPROM.

Das Datenblatt des 1MBit großen FM24V10 garantiert eine Lebensdauer von 100 Billionen Schreibzyklen. Gespeicherte Daten bleiben bei einer Umgebungstemperatur von 65°C über 151 Jahre erhalten. Bei 85°C beträgt die Speicherdauer nur noch 10 Jahre. Mit seiner seriellen Schnittstelle soll der FM24V10 gängige EEPROM-Bausteine ersetzen.

 

FM24V10 Datenblatt Blockschaltbild

Das Datenblatt enthält ein Blockschaltbild, das die Funktionsweise des FM24V10 zeigt. Es finden sich keine Überraschungen. Neben dem 1MBit großen Speicher bietet der Baustein zusätzlich eine ID- und eine Seriennummer.

 

FM24V10 Die

Das Die des FM24V10 ist 3,2mm x 2,0mm groß und bietet auffällig viele Bondpads. Vielleicht dient das Die auch als Grundlage für einen FRAM-Baustein mit einer parallelen Schnittstelle, zum Beispiel dem FM28V100.

Die Rahmenstruktur stellt die Versorgung dar. Den größten Teil der Fläche nimmt der Speicherbereich ein, der sich aus acht Spalten zusammensetzt. Im unteren Bereich verlaufen mehrere Leitungen horizontal, über die höchstwahrscheinlich der Speicherbereich angesteuert und ausgelesen wird. Man kann davon ausgehen, dass die Schaltung an der rechten Kante die Steuerung des Bausteins enthält.

 

FM24V10 Die Detail

In der linken oberen Ecke könnten Zeichen abgebildet sein. Die kleinen Strukturen lassen sich allerdings nicht sauber auflösen.

 

FM24V10 Die Detail

In der rechten oberen Ecke (hier gedreht) ist das Jahr 2008 abgebildet. Die Zeichen darunter könnten eine Bezeichnung des Designs sein.

 

FM24V10 Die Detail

In den Speicherbereichen kann man abgesehen von den breiten Leitungen auf der Oberfläche nichts erkennen.

 

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