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National Semiconductor LF355

LF355

LF355

LF355

Der Operationsverstärker LF355 bietet J-FET-Eingänge. Sein Biasstrom ist mit typischerweise 30pA entsprechend niedrig. Das Datenblatt gibt einen Eingangswiderstand von 10 Terraohm an.

Der LF355 wurde von mehreren Firmen hergestellt, dieses Modell stammt von National Semiconductor. Der Datecode weist das Jahr 1982 als Produktionsjahr aus.

Neben dem LF355 existieren die unterschiedlich schnellen Varianten LF356 und LF357. Sie unterscheiden sich unter anderem in der Bandbreite (2,5MHz, 5Mhz, 20MHz) und der maximalen Slewrate (5V/µs, 12V/µs, 50V/µs). Der LF357 muss auf Grund seiner hohen Bandbreite und der damit einhergehenden Gefahr von Schwingungen mit einem Verstärkungsfaktor von mindestens 5 betrieben werden.
Parallel zu den unterschiedlich schnellen Varianten können die Modelle LF155, LF156, LF256 und LF257 bezogen werden, die etwas höhere Versorgungsspannungen und etwas höhere Betriebstemperaturen zulassen. Höchstwahrscheinlich handelt es sich dabei um Sortierungen desselben Bausteins.

 

LF355 Blockschaltbild

Das Datenblatt enthält einen vereinfachten Schaltplan. Der Differenzverstärker am Eingang beinhaltet die beschriebenen J-FET-Transistoren. Zwischen dem Differenzverstärker und der Spannungsverstärkungsstufe befinden sich zwei weitere J-FETs, die einen Offset-Abgleich ermöglichen. Der bandbreitenbegrenzende Kondensator in der Spannungsverstärkungsstufe wird mit 10pF angegeben. An dieser Stelle besitzt der LF357, die schnellste Variante der Operationsverstärkerfamilie, eine Kapazität von nur 3pF. Die Ausgangsstufe enthält zum Schutz vor zu hohen Strömen eine Strombegrenzung für den Highside- und für den Lowside-Pfad.

 

LF355 Die

An der linken Kante des Dies befinden sich die zwei relativ großen Eingangstransistoren. Es handelt sich nur um zwei, nicht um vier über Kreuz verschaltete Transistoren, was den Temperaturdrift reduzieren würde.

Das Die beinhaltet zwei Kondensatoren. Der obere Kondensator ist der Kompensationskondensator, der im Zweig des nicht invertierenden Eingangs an der Spannungsverstärkungsstufe die Bandbreite bestimmt. Der untere Kondensator befindet sich im invertierenden Zweig zwischen dem Ausgang des Eingangsdifferenzverstärkers und dem Massepotential.

 

LF355 Die Masken

An der oberen Kante sind die Revisionen von neun Masken abgebildet. Die Buchstaben sprechen für eine mehrfache Überarbeitung.

 

 

LF355

Dieser LF355 von National Semiconductor befindet sich in einem DIP8-Gehäuse und ist mit einem Jahrgang 1988 etwas neuer.

 

LF355 Die

Das Design des enthaltenen Dies gleicht dem älteren LF355.

 

LF355 Die Masken

Obwohl die Dies das gleiche Design aufweisen, handelt es sich bei den Masken durchgängig um A-Revisionen. Die A-Revision scheint nicht zum neueren Datecode zu passen.

An der unteren Kante des Dies befindet sich zusätzlich ein C, wo auf dem älteren Die ein A abgebildet ist. Es ist unklar wie diese Buchstaben in einen logischen Zusammenhang gebracht werden könnten.

 

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