Der MCS7529 ist ein Taschenrechner-Controller der Firma MOS Technology. Er
enthält alle für einen Taschenrechner notwendigen Funktionen. Dieses
Bauteil stammt aus dem Jahr 1975. Ein Datenblatt existiert leider nicht.
Der Metalldeckel wurde auf das Keramikgehäuse geklebt, nicht gelötet.
Zwei Funktionsblöcke des Dies lassen sich auf Grund ihrer großen, gleichmäßigen
Struktur relativ gut erkennen.
Der große Block an der unteren Kante stellt
einen maskenprogrammierten Speicher dar, der höchstwahrscheinlich die einzelnen
Rechenbefehle in die notwendigen Steuersignale für die Recheneinheit und ihre
Peripherie umwandelt. Soll zum Beispiel eine
Addition erfolgen, so wird die zugehörige Zeile aufgerufen und der Speicher gibt
über seine parallelen Datenleitungen die gespeicherten Logikpegel aus. Die
Datenleitungen sind an die verschiedenen Funktionsblöcke des Controllers
angebunden und aktivieren so die Gatter die notwendig sind, um die gewünschte Addition
durchzuführen.
An der oberen Kante befindet sich ein weiterer gleichmäßig
strukturierter Block. Hierbei handelt es sich wahrscheinlich um die Register, in
denen Zwischenergebnisse abgelegt werden können.
Die Beschriftung des Dies weist den Controller eindeutig als 7529 von MOS Technology
aus. Das B steht vermutlich für eine zweite Revision.
Die Zeichen 7529 sind
anscheinend in allen Masken abgebildet. Nur beim B fehlt die Maske, für die
Bondpads.
Die Zahlenfolge 014 ist sowohl auf dem Metalldeckel des Packages als auch auf dem Die abgebildet. Es könnte sich dabei um die Bezeichnung eines Fertigungsprozesses oder einer Fertigungslinie handeln.
Für die Herstellung waren anscheinend fünf Masken ausreichend. Wahrscheinlich handelt es sich um einen für diese Zeit üblichen NMOS-Prozess.
Nicht alle Bonddrähte sind sauber auf ihren Pads platziert.
Links des Masken-ROMs ist die Zeilenauswahl zu erkennen. Von oben treffen sechs kurze Leitungen ein, die sich in sechs Leitungspaare aufspalten und an der Seite des ROMs entlang geführt sind. Die sechs Leitungspaare steuern in der Spalte verteilte Transistoren. Die von links nach rechts immer feingranularere Aufteilung ermöglicht es über die ursprünglich sechs Leitungen alle 64 Zeilen auszuwählen. Die gespeicherten Informationen werden dann nach oben ausgegeben.
Im Detail kann man die einzelnen Transistoren erkennen, deren Verteilung den gespeicherten Informationen entspricht. Die Umrisse in der Metalllage entstehen durch Bereiche, in denen sich statt dem dicken Fieldoxid nur ein dünnes Gateoxid befindet. An diesen Stellen kann das Potential der Metalllage die darunter liegenden Strukturen beeinflussen. Es bildet sich ein Transistor. In der unteren Ebene sind vertikale Leitungen platziert, die abhängig vom Potential der darüber liegenden Metallleitung miteinander verbunden werden. Wie ein derartiger Speicher im Detail funktioniert, ist im Rahmen des U821 FWE genauer erläutert.