Richi´s Lab

Solitron MD5034

MD5034

Zu der auf diesem Package aufgedruckten Ziffernfolge MD5034 finden sich leider keinerlei Informationen.
Dem Symbol links der Bauteilbezeichnung nach wurde der Baustein von Solitron gefertigt.

 

MD5034 Die

Es handelt sich um ein universelles Gehäuse, das bis zu sieben Anschlüsse und einen direkt an das Gehäuse angebundenen Pin bietet. In diesem Fall werden neben dem Gehäuseanschluss fünf weitere Pins genutzt.

 

MD5034 Die Detail

Das Die ist ungefähr 1mm lang und 0,7mm breit. Auf dem Silizium befinden sich zwei gleiche Strukturen, die ineinander integriert wurden. Die mittleren beiden Bondpads und ihre Strukturen sind von den Potentialen der rechten beiden Bondpads umgeben. Die Metallstrukturen des einzelnen, linken Bondpads umrahmen die gesamte Konstruktion.

 

MD5034 Die Detail

Die Rahmen der mittleren Bondpads verbinden sie erkennbar mit den aktiven Strukturen darunter. Zusätzlich führt je eine Leitung zu einem Quadrat. Es scheint ebenfalls mit den darunter liegenden Schichten verbunden zu sein. Denkbar wäre, dass es sich hier um Überspannungsschutzdioden handelt, die oftmals direkt in die Packages von MOSFETs integriert werden. Im aktiven Bereich sind ansatzweise Schleifen erkennbar, die aber keine direkte Rückschlüsse auf die Funktion zulassen.

Der gemeinsame Anschluss an der Verbindung der beiden Strukturen lässt darauf schließen, dass es sich um zwei Halbleiter handelt, deren Verschaltung für einen Differenzverstärker optimiert wurde. Bei einem Einsatz als Differenzverstärker stört die erhöhte parasitäre Kapazität zwischen den beiden Halbleitern nicht weiter, während die optimierte Symmetrie äußerst wünschenswert ist. Die interne direkte Verbindung der beiden Halbleiter verbessert die Symmetrie weiter, führt allerdings dazu, dass in das System keine Degenerationswiderstände mehr eingefügt werden können. Diese hätten das Potential Unsymmetrien zwischen den Transistoren ausgleichen.

Messungen und der optischen Erscheinung nach zu schließen handelt es sich um MOS-Transistoren.

 

MD5034 Die

Eine Abbildung im Auflicht, in dem sich die verschiedenen Schichten durch unterschiedliche Farben abzeichnen, zeigt die Strukturen noch deutlicher.

Es scheint, dass die grünen Flächen Drain und Source des MOSFETs darstellen. An den Kanten der Gate-Elektroden ändert sich erkennbar der Untergrund. Hier ist die grüne Fläche ausgespart, damit sich die gewünschte MOSFET-Struktur ergibt.
Unterhalb der mittleren Bondpads befindet sich anscheinend das gleiche Material wie außerhalb des aktiven Bereichs. Es könnte sich hier um den Bulk-Anschluss handeln, der entsprechend mit dem Source-Pad verbunden ist.
Die Metallleitungen, die von den mittleren Bondpads wegführen dienen demnach nur der niederohmigen Anbindung der weiter entfernten MOSFET-Strukturen.

 

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