Dieser IRF3708 wurde mit vier weiteren IRF3708 im Juni 2020 über AliExpress bestellt. Bei 4A Drainstrom und einer Gate-Source-Spannung von 2,8V beträgt der Kanalwiderstand 11mΩ und die Gate-Source-Kapazität liegt bei 2,84nF. So weit stimmen die Parameter mit dem Datenblatt des IRF3708 überein.
Bei einer genaueren Betrachtung des Gehäuses ist sofort klar, dass es sich um einen gefälschten Transistor handelt. Die Oberfläche hat man abgeschliffen, um ihn neu zu beschriften. In der Mitte befand sich ursprünglich eine Einbuchtung, die nur zur Hälfte entfernt wurde.
Das IR-Logo ist unsauber abgebildet. Wo die Einbuchtung noch zum Teil vorhanden ist, sind die Buchstaben deutlich schlechter eingraviert.
Die Abmessungen des Dies betragen 2,8mm x 1,5mm. Es ist damit deutlich kleiner als bei einem originalen IRF3708.
Der Hersteller und der Typ des Transistors lassen sich nicht bestimmen.
In einem anderen Transistor der Charge findet sich ein deutlich kleineres Die. Die Abmessungen betragen hier nur noch 1,7mm x 0,9mm.
Den Geometrien nach zu urteilen, handelt es sich um die gleiche Transistorfamilie wie bei der obigen Fälschung, allerdings um ein kleineres Modell. Hier finden sich an der unteren Kante einige Hilfsstrukturen, die aber ebenfalls keinen Rückschluss auf den Hersteller oder den Typ zulassen.
