Auch zu der auf diesem Package aufgedruckten Ziffernfolge ITS31401 finden sich keine weiteren Informationen.
Im Gehäuse befinden sich zwei Halbleiter, die erkennbar möglichst nahe beieinander platziert wurden. Das Package besitzt sechs Pins, von denen einer nicht sichtbar direkt mit dem Gehäuse verbunden ist. Von jedem Die führt ein Bonddraht zum Gehäuse und ein Bonddraht zu einem gemeinsamen Anschluss. Jeweils zwei Pins sind exklusiv einem Die zugeordnet.
Die Dies sind ungefähr 0,6mm lang und
0,4mm breit. Die Randbereiche sind unterschiedlich aufgebaut. Es könnte sein,
dass die einzelnen Halbleiter auf den ursprünglichen Wafern nur aus
prozesstechnischen Gründen unterschiedlich aufgebaut sind, vor dem Verbau eine
Sortierung nach Eigenschaften stattfand und die unterschiedliche Erscheinung in
diesem Package nur ein Zufall ist.
Ebenso wäre denkbar, dass durch die
Zweiteilung die parasitären Kapazitäten zwischen den beiden Dies reduziert
werden sollten. Dagegen spricht, dass keine Isolierung zwischen den Dies
erkennbar ist. Vielmehr befinden sich rechts oben Substratanschlüsse, die beide
auf das Gehäuse gebondet sind. Die beiden Chips sind folglich trotz der
örtlichen Trennung elektrisch recht eng verbunden.
Direkt erkennbar sind die Markierung der Masken 1A, 2A und 5A. Der Freiraum neben den Ziffern 5A lässt vermuten, dass sich dort eine nicht sichtbare Markierung einer weiteren Maske befindet. Auf den Dies befinden sich insgesamt fünf Kreuze, wie sie zur Ausrichtung von Masken verwendet werden. Der Anzahl der Kreuze nach könnte es sich um einen Fertigungsprozess mit fünf Masken gehandelt haben.
In der unteren rechten Ecke befindet sich ein kleiner Streifen mit zwei Kontakten. Für Teststrukturen erscheinen die Kontakte zu klein. Bei dem Streifen könnte es sich um einen Widerstand handeln. Die Umgebung des unteren Quadrats ist weiter ausgespart als die des oberen Quadrats. Das könnte darauf hinweisen, dass die beiden Quadrate unterschiedliche Tiefen des Substrats kontaktieren. Der Zweck dieser Struktur lässt sich ohne Weiteres nicht ergründen.
Auf der Oberseite der Dies sind dem aktiven Bereich über die Metalllage drei Anschlüsse zugeführt, die abwechselnd ineinander greifen. Für bipolare Transistoren erscheinen die darunter liegenden Strukturen zu gleichmäßig und auch der gesamte Aufbau scheint nicht zu einem solchen Typ Transistor zu passen. Bei JFETs wird das Gatepotential meist über die Unterseite des aktiven Bereichs zugeführt, was hier nicht erkennbar ist. Es ist somit am wahrscheinlichsten, dass es sich um MOS-Transistoren handelt. Dazu passt der vierte Anschluss in der oberen rechten Ecke, der dann den Body-Kontakt darstellt. Die getrennte Führung von Source- und Body-Kontakt ermöglicht die Anbindung des Bodys an ein niedrigeres Potential, was in manchen Schaltungen vorteilhaft sein kann.
