Der STP3NB100 ist ein von ST Microelectronics entwickelter MOSFET. Er sperrt bis zu 1000V und leitet bis zu 3A bei einem Kanalwiderstand von 5,3Ω. Die Variante mit dem Index FP befindet sich in einem vollständig isolierten TO220-Gehäuse.
Das Die ist 3,9mm x 3,7mm groß. Mittig befindet sich die Source-, rechts die Gate-Bondfläche. Das Gate-Potential umrahmt den aktiven Bereich. Zweimal drei Stichleitungen führen es von rechts und von links niederohmig in die Mitte des Dies. Dort halten die Stichleitungen aber einen erheblichen Abstand zueinander, damit die vertikale Verteilung des Laststroms nicht behindert wird.
In der unteren linken Ecke sind die Zeichen I169 abgebildet, die sich nicht weiter zuordnen lassen.
In der oberen rechten Ecke wurden drei Masken abgebildet.
Im Bereich der Gate-Stichleitung sind mehrere Kanten zu erkennen, die sich aber nicht mit letzter Sicherheit einer Struktur und Funktion zuordnen lassen.
Nach den frühen MOSFETs (z.B.: BD522 und VN88) werden modernere Leistungs-MOSFETs meist mit vielen kleinen, quadratischen Transistoren aufgebaut (z.B.: 2SK1317, BUK446, IRF640). Beim STP3NB100 kamen dagegen streifenförmige Einzelelemente zum Einsatz, was im Datenblatt eigens als patentiertes "strip layout" mit besonders niedrigem Widerstand beworben wird.
Auch die Rahmenstruktur, die der Potentialsteuerung dient, ist ungewöhnlich und wird im Datenblatt eigens erwähnt. Wo bei anderen Hochspannungs-MOSFETs ringförmige Strukturen zum Einsatz kommen, befinden sich in der Rahmenstruktur des STP3NB100 nach außen hin größer werdende Quadrate.
