Der 2N5911 ist ein von Siliconix gefertigter Dual-J-FET. Der Datecode datiert die Produktion in das Jahr 1978.
Zum 2N5911 existiert ein Datenblatt. Wie beim DN1682 bietet das Package neben den zweimal drei Anschlüssen der Transistoren auch einen Pin, über den das Potential des Gehäuses unabhängig von den restlichen Potentialen festgelegt werden kann.
Der innere Aufbau gleicht dem DN1682. Im Gehäuse sind die zwei Gate-Pins zu Flächen ausgeformt, auf denen sich die Dies befinden. Ein Bonddraht überträgt das Gate-Potential zusätzlich auf die Oberfläche des Dies. Die schwarze Vergussmasse isoliert die Pins voneinander und fixiert den Aufbau.
Es scheint sich um die gleichen Transistoren zu handeln, die auch im DN1682 eingesetzt wurden. Während beim DN1682 die Zahlenfolgen 45 61 und 71 65 auf den Dies abgebildet sind, finden sich hier die Zahlenfolgen 46 93 und 47 91. Da es sich sowohl beim DN1682 als auch beim 2N5911 um zwei gleichen J-FETs handelt, ist es sehr wahrscheinlich, dass die Zahlen dazu dienten die Dies nach möglichst gleichen Eigenschaften zu sortieren.
