Neben den TO3-Varianten des KT808 befindet sich der KT808A in einem runden Gehäuse. Wofür der zusätzliche Buchstabe T steht ist unklar. Mit Hilfe eines zusätzlichen Blechelements kann man den Transistor in einem Kühlkörper befestigen.
Das Gehäuse bietet drei Anschlusspins mit Lötösen.
Der KT808AT ähnelt dem alten Design des KT808AM, er ist allerdings etwas sauberer aufgebaut. Das Die befindet sich auf einem runden Heatspreader.
Auch das Die unterscheidet sich nicht wesentlich vom alten Design des KT808AM.
An der unteren Kante des Dies ist ein Stück abgesplittert.
Das Metallquadrat auf der unteren linken Ecke des Dies war auch schon im KT808AM vorhanden, wurde dort allerdings von einem Anschlussdraht verdeckt. Es könnte sich um eine Orientierungshilfe handeln.
Basis- und Emitterflächen unterscheiden sich optisch deutlich. Die dunkleren, weniger glatt erscheinenden Bereiche stellen den Emitter dar. Die Abstände zwischen den Metallkontakten und der Sperrschicht variieren deutlich.
Der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke erfolgt bei -7,5V. Auch in diesem Punkt unterscheidet sich der KT808AT nicht von den anderen KT808-Varianten.
Bei einem Stromfluss von 20mA leuchtet vor allem der untere Bereich des Transistors auf. Es sind zusätzlich Leuchterscheinungen links des linken Kontaktdrahts zu erkennen. Auch an dieser Stelle grenzt der Emitterbereich an den Basisbereich. Die Strecke zur nächsten Basiselektrode ist allerdings relativ lang und der Widerstand entsprechend hoch. Aus diesem Grund bleibt der außen gelegene Bereich üblicherweise dunkler.
Mit steigendem Strom (hier 50mA) vermehren sich die Durchbruchbereiche entlang der Sperrschicht.
100mA
200mA
500mA
Bei einem Strom von 1A leuchtet fast die ganze Sperrschicht. Direkt an den Bonddrähten ist die Leuchtdichte allerdings immer etwas höher ist als in der Mitte des Dies.
