Der 2N369 ist ein Kleinsignal-Germaniumtransistor mit einer Kollektor-Basis-Sperrspannung von 30V und einem maximal zulässigen Kollektorstrom von 50mA. Die Grenzfrequenz liegt bei 1,3MHz, die maximale Verlustleistung bei 150mW. Der 2N369 wurde von mehreren Firmen produziert. Das vorliegende Bauteil lässt sich keinem Hersteller zuordnen.
Das Gehäuse ist auf der Unterseite verlötet und lässt sich entsprechend mit einem Lötkolben öffnen. Im Inneren befindet sich eine weiße Masse, die die Wärmeabfuhr vom Transistor zum Gehäuse verbessert und wahrscheinlich auch einen gewissen Korrosionsschutz darstellt. Auf diesen Bildern ist die Masse bereits etwas getrocknet. Anfänglich hatte sie die typische Konsistenz einer Wärmeleitpaste.
Der 2N369 ist ein Legierungstransistor. Das n-dotierte Germaniumplättchen, das den Basisbereich darstellt, befindet sich auf einem Blechelement mit einem kreisrunden Ausschnitt. Im Bereich des Ausschnitts ist das Germaniumplättchen dünner ausgeführt. Auf beiden Seiten wurde Indium eingeschmolzen, was p-dotierte Bereiche generiert. Der Kollektorbereich ist größer als der Emitterbereich. Diese Geometrie und der dünne Basisbereich wirken sich vorteilhaft auf die elektrischen Eigenschaften des Transistors aus.
Der untere Teil des Gehäuses ist großzügig ausgegossen.
