Der hier vorliegende KT808AM wurde 1982 produziert.
Wie im KT808AM von 1984 befindet sich im Gehäuse ein Heatspreader mit einer glatten Oberfläche. Es ist deutlich erkennbar, dass es sich beim Transistor selbst um ein älteres Design handelt.
Der Transistor entspricht der Abbildung, die sich in älteren Datenblättern findet. Der Heatspreader wurde lediglich an den verfügbaren Platz angepasst.
Die Bonddrähte sind einmal um den jeweiligen Anschlusspin herum gebogen. Hier scheint der Vorgang nicht ganz sauber abgelaufen zu sein. Auf halben Weg zum Die wurde der Bonddraht verbogen, was dazu geführt hat, dass er sich ein Stück weit vom Die gelöst hat.
Im Detail ist gut zu erkennen, dass der Bonddraht anfänglich auf ganzer Länge mit der Metallisierung auf dem Die verlötet war.
Das Die ist mit einer sehr dünnen, durchsichtigen Vergussmasse geschützt.
Mit einer Kantenlänge von 5,0mm ist das Die merklich größer als das Die, das sich in der neueren KT808-Generation findet.
An den Rändern des Dies sind dunkelblaue Streifen abgebildet. Sie scheinen lediglich die Schnittbereiche zu markieren, entlang derer die Transistoren aus dem Wafer geschnitten werden. Weiter im Inneren zeichnet sich eine geschwungene Kante ab. Höchstwahrscheinlich wurde im Außenbereich das Material heruntergeätzt, um an der Außenkante der Basis-Kollektor-Sperrschicht einen sauberen Abschluss zu erzeugen. Basis und Emitter werden von ineinandergreifenden Elektroden kontaktiert. Die Bonddrähte sind über die komplette Breite auf die Metallisierung aufgelötet.
Im Detail betrachtet erweist sich die Oberfläche des Transistors als ziemlich unsauber.
Die unteren Ecken des Dies sind nicht von der Vergussmasse bedeckt.
Von den gelöteten Bereichen scheint sich eine gewisse Verschmutzung über das Die ausgebreitet zu haben.
Der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke erfolgt bei -7,5V. Der Stromfluss beträgt in diesem Bild 15mA.
Mit steigendem Strom (hier 50mA) ergeben sich ständig neue Durchbruchbereiche.
100mA
200mA
500mA
1A
