Der OC811 ist der erste in der DDR entwickelte Flächentransistor. Die Buchstaben WBN zeigen, dass die Fertigung im Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik erfolgte. Im WBN fand auch die Entwicklung dieses Transistors statt. Viele OC811 sind mit dem Kürzel HWF beschriftet, das für das Halbleiterwerk Frankfurt Oder steht. Die maximale Sperrspannung des OC811 beträgt 20V. Der maximal zulässige Kollektorstrom liegt bei 15mA.
Neben dem OC811 gab es noch andere Sortierungen des Transistors. Der OC810 war günstiger, seine Spezifikationen unterliegen aber einer höheren Streuung. Der OC812 ist rauschärmer. Der OC813 bietet eine etwas höhere Grenzfrequenz.
Der mittlere Anschluss kontaktiert die Basis des Transistors. Das Emitterpotential liegt auf der Leitung, die dem Basisanschluss näher ist.
Das Gehäuse besteht aus einem unteren Element, in dem sich der Transistor befindet. Darauf ist ein Deckel aufgesteckt. Die zwei Durchbrüche auf der Unterseite des Gehäuses sind mit einem durchsichtigen Material abgedichtet.
Hier scheint das rechteckige Plättchen, das mit dem Basisdraht verlötet ist, nicht nur ein Träger zu sein, sondern komplett aus Germanium zu bestehen. Auf beiden Seiten des Plättchens wurde Indium aufgebracht und eingeschmolzen, so dass sich die gewünschte PNP-Struktur ausbildet. Der Emitter ist kleiner als der Kollektor, was für die elektrischen Eigenschaften des Transistors vorteilhaft ist. Das ganze Element scheint mit einer Art Schutzlack überzogen zu sein.
In "Der Praktische Funkamateur" Band 17 ist ein offener OC811 abgebildet (oben). Dort ist das Germaniumplättchen mit einem zusätzlichen Trägerelement am Basisdraht befestigt. In "Der Praktische Funkamateur" Band 34 findet sich ein weiteres Bild eines offenen OC811 (unten). Hier fehlt das zusätzliche Element. Vielleicht handelt es sich beim oberen Bild um einen Entwicklungstransistor. Ein übermäßig ausladender Aufbau erscheint aus Sicht der mechanischen Robustheit wenig sinnvoll.
Es liegen mehrere OC811-Transistoren vor, von denen einige anscheinend nicht sauber gefertigt wurden.
Bei diesen Bauteilen befindet sich nur sehr wenig Lot auf dem Germaniumplättchen. Die Drähte sind teilweise nicht einmal angebunden. Hier ist dafür gut zu erkennen, dass das Germaniumplättchen im Bereich des Kontakts nachgearbeitet wurde. Es ist dünner und glatter als die Umgebung. Beides wirkt sich positiv auf die Eigenschaften des Transistors aus.
Hier findet sich ein Lotkügelchen im unteren Trägerelement. Vielleicht ist das Lot, das eigentlich Kollektor oder Emitter kontaktieren sollte, während der Fertigung abgefallen.
