Der ACY38 ist ein von COSEM gefertigter Germanium-Transistor im TO-5-Gehäuse. COSEM war ein französischer Halbleiterhersteller, der 1969 mit SESCO zu SESCOSEM fusionierte.
Der ACY38 sperrt Spannungen bis zu 15V, darf mit 100mA belastet werden und bietet eine Grenzfrequenz von 5MHz.
Wie im Siemens ASY25 befindet sich auch im ACY38 eine Wärmeleitpaste. Da der Transistor selbst nicht massiv mit dem Gehäuse verbunden ist, benötigt er eine derartige Maßnahme zur Unterstützung der Entwärmung.
Während sich die Wärmeleitpaste im Siemens ASY25 mit Isopropanol und Geduld aus dem Gehäuse heraus lösen ließ, weist das hier eingesetzte Material die schmierenden, sehr gut anhaftenden Eigenschaften der klassischen Wärmeleitpaste auf. Oftmals basieren Wärmeleitpasten auf Silikonöl, dessen normalerweise sehr wünschenswerte Eigenschaft eine herausragende Haftwirkung ist. Es zeigt sich, dass Abbeizer relativ gut geeignet ist die Wärmeleitpaste zu lösen.
Der Transistor befindet sich auf einem Blechstreifen, der am Basispin befestigt ist. Von Emitter- und Kollektorpin aus führen Drähte zum Transistor. Der ganze Aufbau wird von einer weißen, silikonartigen Schicht geschützt.
Beim Entfernen der Schutzschicht reissen die dünnen Zuleitungsdrähte ab. Wie beim Siemens ASY25 bildet eine n-dotierte Germaniumscheibe die Basis und damit die Grundlage des Transistors. Der p-dotierte Kollektorbereich entsteht auf der Germaniumscheibe durch das Auflegieren einer Indiumpille. Sie wurde mit dem Zuleitungsdraht abgerissen.
Die Einbuchtung, in der sich die Germaniumscheibe befindet, sollte für die Funktion des Transistors nicht notwendig sein. Wahrscheinlich erleichterte die Prägung im Trägerblech nur die Fertigung.
Der Zuleitungsdraht des Emitters ist ebenfalls abgerissen. Er kontaktierte über eine Bohrung im Trägerblech und eine weitere Indiumpille die Germaniumscheibe. Die auflegierte Indiumpille bildet den p-dotierten Emitterbereich aus.
Der Bereich wo sich die Kollektor-Pille befand besitzt eine auffällig glatte Oberfläche. Die Kontaktbereiche wurden vor dem Aufbringen der Legierungsmaterialien nachbearbeitet. Glatte Grenzflächen garantieren einen saubereren Schichtaufbau (Basisweite und Dotierungskonzentration), was wiederum für bessere und stabilere Transistoreigenschaften sorgt.
Am Emitter sind noch Reste der Dotierungspille zu erkennen. Wo sich der Zuleitungsdraht befand, zeigt sich aber ebenfalls eine sehr glatte Oberfläche.
