Der TIP3055 ist ein Leistungstransistor, dessen Spezifikationen dem 2N3055 sehr ähnlich sind: 60V Sperrspannung, 15A Kollektorstrom, 7A Basisstrom, Verstärkungsfaktor 20-70 bei 4A Kollektorstrom, Grenzfrequenz 3MHz. Die maximal zulässige Verlustleistung ist mit 90W etwas geringer, was dem moderneren TO247-Gehäuse geschuldet ist.
Das Komplementärmodell ist der TIP2955.
Die Abmessungen des Dies betragen 2,43mm x 2,16mm.
Es ist sofort ersichtlich, dass es sich um einen perforated Emitter handelt, wie er auch beim BUX22 zum Einsatz kam.
Rechts unten wird dem Transistor das Emitterpotential zugeführt, links oben befindet sich das Bondpad für das Basispotential. Die Verteilung des Emitterpotentials erfolgt auf Grund der höheren Ströme über breitere Strukturen. Die ineinander verwobenen Elektroden garantieren eine möglichst gleichmäßige Stromverteilung.
Die runden Basis-Bereiche zeigen wie beim BUX22 etwas mehr Ringe als man vielleicht im ersten Moment erwarten würde. Ohne Kenntnis darüber wie die Herstellung genau erfolgte, kann man bei der Funktion mancher Strukturen nur spekulieren. Der innerste Kreis stellt sicherlich eine Aussparung im isolierenden Siliziumoxid dar, durch die die Metalllage das Silizium kontaktieren kann. Der knapp darauf folgende Ring könnte einen Bereich höherer Dotierung darstellen. Solche höher dotierten Bereich sind hilfreich, um die Kontaktierung niederohmig zu halten. Außerdem kann sich bei schwächeren Dotierungen ein Schottky-Kontakt ausbilden, dessen Diodenverhalten an dieser Stelle nicht wünschenswert ist. Der breiteste Ring dürfte die eigentliche Basisfläche sein, die aber in diesem Bereich noch von einer Oxidschicht isoliert ist. Der äußerste Ring lässt sich nicht sicher zuordnen. Er könnte durch den Fertigungsprozess entstanden sein. Außerhalb des äußersten Rings befindet sich sicher die Emitterfläche.
Texas Instruments fertigte ebenfalls den TIP3055. Der Name TIP3055 könnte
darauf hinweisen, dass Texas Instruments als erster Hersteller dieses Modell in
den Markt brachte.
Der Datecode weist 1979 als Herstellungsjahr aus.
Auf der rückseitigen Metallplatte befindet sich eine Abdeckung, die während der Produktion mit einer Vergussmasse aufgefüllt wurde.
Das Packagematerial dieses TIP3055 zersetzt sich nicht wie die üblichen Epoxidmischungen. Nach einem anfänglichen Aufschmelzen und Aufblähen verascht das Material selbst bei erhöhten Tempemraturen nur langsam und es bleibt an einigen Stellen ein relativ stark anhaftender Rückstand zurück.
Das Die befindet sich in einer Vertiefung der Trägerplatte. Um diese Vertiefung sind vier Gräben platziert. Die Gräben könnten als Orientierungshilfen bei der Platzierung des Dies gedient haben.
Trotz leichter Rückstände und Schäden kann man den klassischen, ineinandergreifenden Aufbau von Basis- und Emitterkontaktierung deutlich erkennen.
Mit 2,53mm x 2,52mm ist dieses Die merklich größer als das Die des moderneren TIP3055 von ST Microelectronics, das einen perforated Emitter besitzt. Wie beim TIP2955 zeigt sich auch hier, dass ein Transistor mit perforated Emitter leistungsfähiger ist als ein Transistor mit den klassischen ineinandergreifenden Elektroden für das Basis- und das Emitterpotential.
Seitlich betrachtet zeigt sich, dass das Die eine MESA-Struktur besitzt. Wie beim neueren BUX22 wurde das Material so weit heruntergeätzt, dass sogar ein Graben entstand.
