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Philips AU103

Philips AU103

Der AU103 ist ein von Philips gefertigter, auf Germanium basierender PNP-Leistungstransistor. Die maximal zulässige Sperrspannung beträgt 155V, die Stromtragfähigkeit liegt bei 10A, die Grenzfrequenz ist mit 15MHz angegeben. Da der Transistor auf Germanium basiert, darf die Junction-Temperatur 90°C nicht übersteigen.

 

Philips AU103

Das kreisförmige Element in der Trägerplatte erinnert an den 2N3055 von Siemens, bei dem dieser Block eine Art Heatspreader darstellt.

 

Philips AU103 Deckel

Am Deckel ist ein klares Material aufgeklebt. Wahrscheinlich handelt es sich um ein Trocknungsmittel. Ältere Transistoren besitzen oftmals noch keine Passivierungsschicht und müssen daher vor Feuchtigkeit geschützt werden.

 

Philips AU103 Legierungstransistor

Der eigentliche Transistor befindet sich innerhalb der Trägerplatte. Vermutlich wurde der Transistor in einer Art Becher gefertigt und dieser dann in das TO3-Gehäuse montiert. Das würde auch das auf der Rückseite sichtbare, runde Element erklären.

Beim AU103 handelt es sich um einen sogenannten Legierungstransistor. Die verschiedenen Dotierungen werden erzeugt, indem man einen n-dotierten Halbleiter mit einem Metall umgibt, dass sich für eine p-Dotierung eignet. Schmilzt man dann das Metall auf, so bildet sich an der Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter eine Legierung und letztlich der PNP-Transistor aus. Für PNP-Germaniumtransistoren wurde üblicherweise Indium als Legierungsmaterial verwendet.

 

Philips AU103 Legierungstransistor Aufbau

Mit diesen Hintergrundinformationen kann man über den hier vorliegenden Aufbau spekulieren. Der grundlegende n-dotierte Germaniumhalbleiter lag vermutlich als runde Scheibe vor (blau). Legt man diese Scheibe mit einer Indiumzwischenschicht in eine Ausbuchtung der Grundplatte, so kann sich dort der p-dotierte Kollektor ausbilden (rot außen). In der n-dotierten Germaniumscheibe (blau) befand sich wahrscheinlich eine kreiförmige Nut. Deponiert man in dieser Nut Indium, so kann sich innerhalb der Germaniumscheibe ein p-dotierter Ring ausbilden (rot innen), der den Emitter darstellt.
Sobald alle Materialien platziert sind, erhitzt man den Aufbau bis das Indium schmilzt, sich die gewünschten Legierungsbereich ausbilden und so der PNP-Transistor entsteht.

Man hätte den Emitter auch als kreisfömige Fläche in der Mitte der Germaniumscheibe ausbilden können, die ringförmige Struktur erlaubt es aber das Basispotential an zwei Stellen zu kontaktieren. Über den Basisanschluss fließt zwar weniger Strom als über den Emitteranschluss, für die Eigenschaften des Transistors ist es aber dennoch wichtig, dass die Anbindung des Basispotentials möglichst niederohmig erfolgt. Da das Halbleitermaterial einen vergleichsweise hohen Widerstand aufweist, ist es von Vorteil die Basis innerhalb und außerhalb des Emitterrings zu kontaktieren.

Das weißliche Material könnte für die Kontaktierung des Transistors notwendig gewesen zu sein. Höchstwahrscheinlich wurden die Anschlussdrähte mit einem Lötverfahren angebunden.

 

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