Der AU103 ist ein von Philips gefertigter, auf Germanium basierender PNP-Leistungstransistor. Die maximal zulässige Sperrspannung beträgt 155V, die Stromtragfähigkeit liegt bei 10A, die Grenzfrequenz ist mit 15MHz angegeben. Da der Transistor auf Germanium basiert, darf die Junction-Temperatur 90°C nicht übersteigen. Als maximale Verlustleistung werden nur 10W angegeben, dieser Wert gilt allerdings für eine grenzwertige Umgebungstemperatur von 85°C.
Das kreisförmige Element in der Trägerplatte erinnert an den 2N3055 von Siemens, bei dem dieser Block eine Art Heatspreader darstellt.
Am Deckel ist ein klares Material aufgeklebt. Wahrscheinlich handelt es sich um ein Trocknungsmittel. Ältere Transistoren besitzen oftmals noch keine Passivierungsschicht und müssen daher vor Feuchtigkeit geschützt werden.
Der eigentliche Transistor ist bündig in die Trägerplatte eingearbeitet. Vermutlich erfolgte die Fertigung des Transistors auf dem Zylinder, der auf der Rückseite des Packages bereits erkennbar war und dieser Zylinder wurde dann in das TO3-Gehäuse montiert.
Beim AU103 handelt es sich um einen diffusionslegierten Transistor wie er detaillierter im Rahmen des GT906 beschrieben ist. Im Gegensatz zu einem Legierungstransistor basiert der diffusionslegierte Transistor auf einer n-dotierten Scheibe, die später den Kollektor darstellt. Darauf werden Basis und Emitter auflegiert. Die unterschiedlichen Diffusionsgeschwindigkeiten der p- und n-Dotierstoffe garantieren eine n-Schicht unter der p-Dotierung des Emitters.
Die weißlichen Bereiche müssen das Lot enthalten, das zur Legierung verwendet wurde. Der Emitterring (rot) ist von zwei Ringen der Basislegierung umgeben (blau). Im Gegensatz zum GT906 ist der innere Basisbereich nur noch ein Kreis und kein Ring mehr. Die rauhe Oberfläche muss die ursprüngliche Germaniumscheibe sein, die mit ihrer n-Dotierung den Kollektor darstellt. Das glänzende Material im Außenbereich könnte dann ein Lot sein, das lediglich der Befestigung der Germaniumscheibe diente.
