ROHM entwickelte unter der Bezeichnung BA222 eine NE555-Variante im SIL-Gehäuse.
Das SIL-Gehäuse bietet nur sieben Pins. Es fehlt der Control-Pin, über den auf das obere Potential des Spannungsteilers zugegriffen werden kann.
Beim BA222 scheint es sich um ein eigenständiges Design zu handeln.
Das Die
trägt die Bezeichnung TI705F oder T1705F.
Es sind acht Bondpads vorgehalten, von denen eines (an der linken Kante) nicht genutzt wurde. Es handelt sich um das Potential, das üblicherweise auf den Control-Pin geführt wird. Entsprechend kann das Die auch für eine NE555-Variante mit 8-Pins genutzt werden.
Die Leistungstransistoren des Push-Pull-Ausgangs und des Discharge-Transistors sind im
Vergleich zu den anderen NE555-Varianten relativ klein ausgeführt. Das
Datenblatt gibt allerdings mit 200mA die gleiche Stromtragfähigkeit an, wie sie
auch von anderen NE555-Varianten bekannt ist.
Die Leistungstransistoren sind
aus fünf einzelnen, parallel geschalteten Transistoren aufgebaut. Eine solche
Parallelschaltung findet sich ansonsten nur in den
NE555-Varianten von Texas Instruments. Der besondere Aufbau der
Leistungstransistoren und das "TI" in der Beschriftung des Dies werfen die Frage
auf, ob das Design vielleicht von Texas Instruments zugekauft wurde.
Die einzelnen Schaltungsteile lassen sich nicht so gut identifizieren wie bei
anderen integrierten Schaltkreisen. Hier sind aber sehr schön drei unterschiedliche Widerstandsarten
zu erkennen. Die oberen drei Widerstände (grün) bestehen aus Streifen
der Dotierung, die auch das Basismaterial von Transistoren darstellt. Die Längen und Breiten
der Strukturen sind so
gewählt, dass sich die gewünschten Widerstandswerte ergeben. Die Geometrien
passen augenscheinlich zu den Werten im Datenblatt des BA222 (4,7kΩ,
4,7kΩ, 220Ω).
Indem man Quadrate in die Formen einfügt kann man den
spezifischen Widerstand des Materials bestimmen. Eckquadrate stellen dabei nur
ein halbes Element dar.
4,7kΩ / 40,5sq = 116Ω/sq
4,7kΩ / 41sq = 115Ω/sq
220Ω
/ 1,5sq = 147Ω/sq
Die unteren beiden Widerstände (gelb und blau) sind aus zwei Schichten
zusammengesetzt. Der gelbe Widerstand besteht aus einem breiteren Streifen der
Dotierung, die normalerweise das Emittermaterial von Transistoren darstellt und sich
entsprechend in einer Wanne des Basismaterials befindet. Das hochdotierte
Emittermaterial besitzt einen niedrigeren spezifischen Widerstand und wird
entsprechend für niederohmigere Widerstände verwendet. Das Datenblatt gibt für
den gelben Widerstand einen Wert von 100Ω an. Die Quadrat-Methode führt zu
folgendem spezifischen Widerstand:
100Ω
/ 2,5sq = 40Ω/sq
Der Wert erscheint noch relativ hoch für einen Widerstand
aus Emittermaterial. Das könnte daher rühren, dass sich die Widerstände der
Anschlusspunkte addieren und diese bei der kurzen Strecke dominant werden.
Der blaue Widerstand besteht ebenfalls aus zwei Schichten. Hier ist der
Aufbau aber ein anderer. Während sich der
gelbe Widerstand vollständig in einer anderen Fläche befindet, liegt beim blauen
Widerstand
die zusätzliche Fläche nur über dem eigentlichen Widerstandselement. Mindestens
die Kontaktierung rechts blieb ausgespart. Es handelt sich
um einen sogenannten Pinch-Resistor. Der eigentliche Widerstand ist wie
bei den grünen Widerständen durch das Basismaterial dargestellt. Darüber
befindet sich ein invers dotiertes Material, vermutlich das Emittermaterial. Es
dringt teilweise in das Basismaterial
ein, verringert so dessen Querschnitt und erhöht damit den spezifischen
Widerstand. Laut Datenblatt handelt es sich hier um einen
100kΩ-Widerstand. Daraus lässt sich ein hoher spezifischer Widerstand berechnen:
100kΩ / 24sq = 4,2kΩ/sq
Die spezifischen Widerstände der drei verschiedenen Widerstandstypen liegen innerhalb der Wertebereiche, die auch die gängige Literatur angibt.
Detailaufnahmen der beiden Widerstandstypen.
