Richi´s Lab

ITT 2N3055

ITT 2N3055

Der deutsche Halbleiterhersteller ITT fertigte ebenfalls einen 2N3055.

 

ITT 2N3055

Basis und Emitter wurden hier noch über eingeprägte Buchstaben gekennzeichnet.

 

ITT 2N3055 Aufbau

Die Kontaktierung erfolgte mit Blechelementen, wie es bei älteren 2N3055 oftmals zu sehen ist. Die Blechelemente sind mit einem Klemmmechanismus an den Kontaktpins befestigt und auf dem Die aufgelötet.

 

ITT 2N3055 Die

Bei einigen Herstellern weist das Die des Leistungstransistors eine gewisse Symmetrie auf, so dass man bei der Platzierung einen Freiheitsgrad mehr hat. Das Die des 2N3055 von ITT ist dagegen länglich und besitzt einen ausgeprägtem Basisbereich an einer Kante.

Das Lot, das neben der Kontaktierung auch der Stromverteilung dient, wurde nicht ganz gleichmäßig über das Die verteilt. An zwei Stellen war die Lotmenge anscheinend nicht ausreichend.

 

ITT 2N3055 Die Detail

ITT 2N3055 Die Detail

ITT 2N3055 Die Detail

Es handelt sich um einen hometaxialen Transistor. Die innere Emitterstruktur ist erkennbar höher als der umgebende, heruntergeätzte Basisbereich. Die Beschreibung des hometaxialen Aufbaus findet sich hier.

Sowohl für die Emitter-, als auch für die Basiskontaktierung wurde in das Material eine zusätzliche Vertiefung geätzt. Entweder mussten diese Bereiche für die Kontaktierung zusätzlich behandelt werden oder die Strukturen sollten schlicht dafür sorgen, dass das Lot an den gewünschten Stellen bleibt.

 

ITT 2N3055 Die Detail Durchbruch

Betreibt man die Basis-Emitter-Strecke im Durchbruch, so leuchtet das Die an der zu erwartenden Sperrschicht zwischen dem erhabenen Emitterbereich und der darunter liegenden Basisfläche auf.

Die Durchbruchspannung ist mit 18V relativ hoch, was für einen hometaxialen Transistor typisch ist.

 

ITT 2N3055 Die Durchbruch

Die Leuchterscheinung ist relativ gleichmäßig (1A). Es zeigt sich allerdings, dass das fehlende Lötzinn in der oberen linken Ecke die Stromverteilung durchaus negativ beeinflusst.

 

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