Der International Rectifier IRF530N ist ein HEXFET-MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 100V. Bei Raumtemperatur darf der Drainstrom dauerhaft 17A betragen. Als Spitzenstrom sind 60A spezifiziert. Der typische Widerstand wird mit 90mΩ angegeben. Über das Gehäuse können bis zu 70W abgeführt werden.
Im Gehäuse des IRF530N findet sich ein Die mit einer Kantenlänge von 3,0mm x 1,7mm. Offenbar handelt es sich um die gleiche Technologie, die auch beim IRF3708 zum Einsatz kam. Die groben Strukturen zur Verteilung von Gate- und Sourcepotential sind genauso ausgeführt wie beim IRF3708 und so weit erkennbar gleichen sich auch die MOSFET-Strukturen selbst. An der unteren Kante ist das Copyright mit dem Jahr 2000 fixiert. An der oberen Kante sind drei Masken abgebildet. An allen Kanten markieren fünf Striche die Mitte. All dies ist auch im IRF3708 zu finden.
