Der International Rectifier IRLZ44N ist ein Leistungs-MOSFET, dessen Sperrspannung mit 55V spezifiziert ist. Mit einem typischen Widerstand von 22mΩ ist bei Raumtemperatur ein dauerhafter Drainstrom von 47A zulässig. Der IRLZ44 ist ein Logic-Level-MOSFET. Den Widerstand von 25mΩ erreicht er bei einer Gate-Source-Spannung von 5V. Für eine Gate-Source-Spannung von 4V spezifiziert das Datenblatt noch 35mΩ.
Die Beschriftung lässt sich nur mit der richtigen Ausleuchtung gut ablesen. Die Syntax und die Aufteilung der Beschriftung passen zu den Darstellungen, die man oft in den Datenblättern von International Rectifier findet.
Das Die des IRLZ44N ist 3,6mm x 2,8mm groß. Das Gate-Potential wird links kontaktiert. Die Metalllage führt das Potential um den Umfang des Transistors herum und über zwei Stichleitungen auch ein Stück weit in die Mitte der Fläche.
Wie bei vielen Transistoren von International Rectifier sind an der oberen Kante mehrere Masken mit Zahlenfolgen abgebildet. Hier sind die Strukturen allerdings nur schwer zur erkennen.
In der Mitte jeder Kante befindet sich ein kleines Quadrat der Metalllage. Der Zweck dieser Quadrate bleibt offen, vielleicht erleichterten sie die Ausrichtung der Masken oder ermöglichten später eine Überprüfung der Ausrichtung.
Im Detail zeigt sich auf der Oberfläche der Drain-Metalllage eine Wabenstruktur.
Es existiert ein älteres Datenblatt des IRLZ44, nach dem es sich um einen HEXFET der dritten Generation handelt. In diesem Datenblatt war der Baustein allerdings noch nicht bleifrei und ihm fehlte noch der Index N. Das P des vorliegenden IRLZ44 zeigt, dass es sich hier um einen bleifreien Baustein handelt. Außerdem ist der Bezeichnung ein N angehängt. Ein neueres Datenblatt, das zu dieser Beschriftung passt, schreibt den IRLZ44N der fünften Generation der HEXFETs zu. Die Spezifikationen in den Datenblättern sind tatsächlich minimal unterschiedlich. Der IRLZ44 sperrt bis zu 60V, während der IRLZ44N nur für 55V freigegeben ist. Der Widerstand der N-Variante ist etwas geringer, dafür ist der maximal zulässige Strom auch etwas geringer. Die Wabenstruktur des IRLZ44N entspricht auf jeden Fall der Oberfläche, die im "International Rectifier HEXFET Databook" abgebildet ist.
